1550 nm DFB 10 GHz EML-Laserdiode

Box Optronics ist Eigentümer der Fabrik und unterstützt 1550-nm-DFB-10-GHz-EML-Laserdioden.
Wellenlänge optional: 1530 nm, 1550 nm oder andere
Ausgangsleistung angepasst: 5 mW oder andere
Wo kann eine 1550-nm-DFB-10-GHz-EML-Laserdiode verwendet werden?
Optische Kohärenztomographie (OCT);
Faseroptisches Gyroskop (FOG);
Rasterkraftmikroskop (AFM) usw.

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Produktbeschreibung

1.Bestellinformationen

BRLD	-XXX	-XX	-XX	-XX
Lasertyp	Wellenlänge (nm)	Ausgangsleistung (mW)	Fasertyp	Steckertyp
Modulationslaser	1530: 1530 nm 1550: 1550 nm Andere	05: 5 10: 10	SM: Einzelmodus PM: Polarisationserhaltend	FA: FC/APC SA: SC/APC N0: Null

Eigene Fabrik, maßgeschneiderter Support.
Heiß:1550 nm DFB 10 GHz EML-Laserdiode

2.Eigenschaften der 1550-nm-DFB-10-GHz-EML-Laserdiode

Modulationsbandbreite: 10 GHz oder mehr;
Butterfly-Paket nach Branchenstandard;
Hochleistungs-Multiquantenbrunnen (MQW)
Eingebauter TEC und optischer Isolator;
Distributed-Feedback-Chip (DFB).

3.Anwendungen der 1550-nm-DFB-10-GHz-EML-Laserdiode

SONET/SDH-Leitungs- und Client-Transponder;
DWDM/CWDM-Transponder;
Linecards.

4. Elektrooptische Eigenschaften

.Parameter	Symbol	Zustand	Min.	Typ.	Max.	Einheit
Modulatorspannung auf ON-Pegel	VO	-	-0,7	-	0	V
Schwellenstrom	ITH	CW,Vm=V0	-	15	30	mA
Betriebsstrom	IOP	-	40	-	100	mA
Streuungsstrafe	dP	*1	-	-	2.0	dB
Vorwärtsspannung	VF	CW,If=Iop	-	1.4	2.0	V
Modulationsspannung	VPP	-	-	2	2.6	V
Aussterbeverhältnis	REXT	*2	10	-	-	dB
Spitzenschwingungswellenlänge	Î»P	*2	1530	-	1565	nm
Nebenmodus-Unterdrückungsverhältnis	SMSR	CW	35	-	-	dB
Aufstiegszeit	tR	20 bis 80 %*2	-	20	25	PS
Herbstzeit	tF	20 bis 80 %*2	-	20	25	PS
Überwachen Sie den Strom	Ich bin	CW, IF = IOP, Vm=Vo, VDR = 5V	40	-	1100	Î¼A
Überwachen Sie den Dunkelstrom	AUSWEIS	VDR: 5 V	-	2	100	n / A
Überwachen Sie die Kapazität	CT	VDR: 5 V	-	2	15	pF
TEC-Strom	ITEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C	-	-	1.0	A
TEC-Spannung	VTEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C	-	-	2.4	V
Stromverbrauch des Kühlers	PC	CW, IF = IOP, Vm = VO, TC(OP) = -20 °C bis 70 °C	-	-	2.4	W
Thermistorwiderstand	RTH	TC(OP) ï¼ 25°C	9.5	-	10.5	kÎ©
Thermistor B konstant	B	-	3270	3450	3630	K
Trackingfehler	TE	CW, IF = IOP, Vm = VO, TC(OP) = 20 °C bis etwa 70 °C	-0,5	-	0,5	dB
Eingangsimpedanz	ZIN	-	-	50	-	Ω
Hochfrequenz-Rückflussdämpfung	S11	fï¼5GHz 50Î© Testset, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP	8	-	-	dB
		fï¼10GHz 50Î© Testset, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP	5	-	-	dB
Grenzfrequenz	S21	-3 dB Bandbreite 50Î© Testset, Vm ï¼ VO - 0,5 Vpp, IF ï¼IOP	10	-	-	GHz
Relatives Intensitätsrauschen	RIN	CW, Ausgangsleistung 5 mW	-	-	-120	dB/Hz
Isolierung	IST	TC(OP) ï¼-20°C bis 70°C	25	35	-	dB

5.Versand

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